CVD用耐高温卡塞
授权
摘要
本实用新型提出一种CVD用耐高温卡塞，所述卡塞包括左右对称的框架本体，所述框架本体的顶部开口，所述框架本体相对的两侧为设置有若干均匀分布的卡槽的侧壁，所述卡槽用于从顶部开口放置CVD作业后的晶片，所述卡塞的主体结构使用铝合金，在其表面喷涂一层保护层，可解决现有技术中卡塞不耐高温，易发生形变和晶片易刮伤的问题；同时在卡塞底部加装电木托手，可解决握手处温度较高的问题，可手持使用。
基本信息
专利标题 ：
CVD用耐高温卡塞
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020491566.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-07
授权号 ：
CN211719567U
授权日 ：
2020-10-20
发明人 ：
曹如友邹小芬吴嘉文黄昭遂赵家富陈志彬
申请人 ：
泉州三安半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市南安市石井镇院前村
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020491566.X
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2020-10-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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