浑水中硅片到位检测装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种浑水中硅片到位检测装置，包括接近传感器、旋转臂、安装杆、固定块，所述安装杆的一端贯穿于所述固定块的下部，所述安装杆靠近所述固定块的一端与所述旋转臂转动连接，所述接近传感器固定于所述安装块的上部，朝向所述旋转臂方向设置。本实用新型所述的浑水中硅片到位检测装置提高了检测的精准度，大大提高了硅片的加工效率。
基本信息
专利标题 ：
浑水中硅片到位检测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020519093.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-10
授权号 ：
CN212010902U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
靳立辉尹擎杨骅杜晨鹏耿明强赵晓光
申请人 ：
天津环博科技有限责任公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区高新区华苑产业区华科大街1号
代理机构 ：
天津企兴智财知识产权代理有限公司
代理人 ：
苏冲
优先权 ：
CN202020519093.X
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L31/18
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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