一种具备迟滞效应的自恢复欠电压保护电路

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摘要

本实用新型公开了一种具备迟滞效应的自恢复欠电压保护电路，该电路通用性强、实现简单、成本低廉。该电路结构中限流电阻一端接外部直流电源VCC，另一端接入稳压器的CATHODE端，稳压器REF端接反馈电阻网络的中端，反馈电阻网络一端接第一增强型PMOS管的栅极，另一端与电源地GND连接；稳压器的CATHODE端连接第一增强型PMOS管的栅极；稳压器REF端连接第二增强型PMOS管的源极，同时第二增强型PMOS管的漏极通过迟滞补偿电阻与电源地GND连接；第一增强型PMOS管的源极连接外部直流电源VCC，漏极连接第二增强型PMOS管栅极和增强型NMOS管栅极，同时通过下拉电阻连接至电源地GND；增强型NMOS管漏极与负载网络的地回线连接，其源极与电源地GND连接。

基本信息

专利标题：

一种具备迟滞效应的自恢复欠电压保护电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020521911.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-10

授权号：

CN212231072U

授权日：

2020-12-25

发明人：

许哲张健李爱玲

申请人：

中国科学院西安光学精密机械研究所

申请人地址：

陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号

代理机构：

西安智邦专利商标代理有限公司

代理人：

唐沛

优先权：

CN202020521911.X

主分类号：

H02H3/027

IPC分类号：

H02H3/027 H02H3/24 H02H3/06