一种射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器
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摘要
本实用新型公开了一种射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器，该偏置电路包括第一偏置单元、第二偏置单元和RC反馈单元，所述第一偏置单元输出第一偏置电流，所述第二偏置单元输出第二偏置电流，所述第一偏置电流和所述第二偏置电流分别耦合至射频功率放大器的基极；所述第二偏置电流还经所述RC反馈单元耦合至射频功率放大器的集电极。本实用新型提供的偏置电路利用第一偏置单元和第二偏置单元分别向功率放大器的基极提供偏置电路，降低了射频功率放大器的基极‑集电极寄生电容Cbc，改善了射频功率放大器的AM‑AM失调，提升了线性度。本实用新型提供的偏置电路还包括RC反馈单元，通过RC反馈单元在改善射频功率放大器的AM‑AM失调，延缓功率放大器的增益压缩的同时，还提高了电路工作的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020621377.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-23
授权号 ：
CN211791447U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
赖晓蕾倪建兴
申请人 ：
锐磐微电子科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢A楼406-08室
代理机构 ：
成都知集市专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李位全
优先权 ：
CN202020621377.X
主分类号 ：
H03F3/20
IPC分类号 ：
H03F3/20 H03F3/189
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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