一种射频偏置电路封装结构
授权
摘要
一种射频偏置电路封装结构，射频偏置电路封装结构包括封装部件，封装部件内封装有功率放大器；射频偏置电路，射频偏置电路包括射频扼流部件，功率放大器电连接输出负载的端口经由射频扼流部件电连接至直流偏置电压源；封装部件覆盖射频扼流部件。通过本实用新型的技术方案，在实现了射频扼流部件与功率放大器连接关系，避免了射频信号影响直流偏置电压源特性的同时，避免了射频偏置电路在印刷电路板上设置较长的偏置线导致的功率放大器模块占用大面积的印刷电路板的问题，有利于减小功率放大器模块的尺寸，提高印刷电路板的集成度。
基本信息
专利标题 ：
一种射频偏置电路封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920531730.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-18
授权号 ：
CN209913789U
授权日 ：
2020-01-07
发明人 ：
阎述昱其他发明人请求不公开姓名
申请人 ：
苏州能讯高能半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN201920531730.2
主分类号 ：
H03F3/213
IPC分类号 ：
H03F3/213 H03F3/195
法律状态
2020-01-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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