一种射频前端芯片的偏置电压产生电路
实质审查的生效
摘要

本发明涉及射频前端芯片技术领域,公开了一种射频前端芯片的偏置电压产生电路,包括电压输入端、第一分压单元、第二分压单元、PMOS管MP1、第一电流镜单元、第二电流镜单元、NMOS管MN1、PMOS管MP2、降压单元和电压输出端;在实际使用时,当电压输入端输入的电压是3.3V时,PMOS管MP1导通,PMOS管MP1输出的电流经第一电流镜单元和第二电流镜单元镜像后,在NMOS管MN1上产生压降,使PMOS管MP2关断,3.3V电压经降压单元输出;当电压输入端输入1.8V电压时,PMOS管MP1关断,不向第一电流镜单元输入电流,第一电流镜单元和第二电流镜单元不工作,1.8V电压经PMOS管MP2输出,因此本发明能够兼容两种电压规格的电源电压输入,且降低输入电压为1.8V时的工作电流和能耗。

基本信息
专利标题 :
一种射频前端芯片的偏置电压产生电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114510113A
申请号 :
CN202210167543.7
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2022-02-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘刚郭天生黄小妍潘浩赵鹏
申请人 :
上海乾合微电子有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
代理机构 :
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
苗雨
优先权 :
CN202210167543.7
主分类号 :
G05F3/26
IPC分类号 :
G05F3/26  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制;调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F3/00
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
G05F3/02
调节电压或电流的
G05F3/08
其中变量是直流的
G05F3/10
利用具有非线性特性的非控制器件
G05F3/16
非控制器件是半导体器件
G05F3/20
应用了二极管与三极管的组合
G05F3/26
电流反射镜
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G05F 3/26
申请日 : 20220223
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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