一种输入输出电极结构、介质滤波器、射频模块及基站
授权
摘要
本实用新型公开了一种输入输出电极结构、介质滤波器、射频模块及基站。该输入输出电极结构包括至少一个谐振器，所述谐振器表面设置有耦合窗口结构，所述耦合窗口结构包括第一耦合窗口和第二耦合窗口，所述第一耦合窗口和第二耦合窗口均为开口结构，所述第一耦合窗口半包围所述第二耦合窗口，所述谐振器表面除所述第一耦合窗口和第二耦合窗口以外的部分均覆盖有金属层。本实用新型实施例通过设置开口结构的第一耦合窗口和第二耦合窗口，并将第一耦合窗口设置为半包围第二耦合窗口，能够有效降低近端寄生耦合的影响，形成一种改善近端抑制的输入输出电极结构及介质滤波器，并可广泛应用于射频模块和基站中。
基本信息
专利标题 ：
一种输入输出电极结构、介质滤波器、射频模块及基站
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020627960.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-23
授权号 ：
CN211556092U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
蔡辉周骑戴超张武
申请人 ：
江苏亨鑫科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市宜兴市丁蜀镇陶都路138号
代理机构 ：
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 ：
陈君名
优先权 ：
CN202020627960.1
主分类号 ：
H01P7/00
IPC分类号 ：
H01P7/00 H01P7/10 H01P1/20
法律状态
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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