利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器
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摘要
本实用新型公开了一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F‑P磁场传感器，其特征在于包含单模光纤、毛细管和F‑P腔微结构；所述F‑P腔微结构与所述单模光纤的一端由3D打印直接打印连接，F‑P腔微结构的外围套设有毛细管，毛细管的两端密封形成密封腔体，密封腔体内充满磁流体；所述单模光纤的另一端通过光纤耦合器分别连接宽谱光源和光谱分析仪；其原理与传统的内部填充磁流体的光纤磁场传感器不同，通过在波导周围填充磁流体所产生的倏逝耦合效应，突破了磁流体高吸收性对传感器磁场灵敏度的限制，具有较高的磁场灵敏度；打印制备的F‑P磁场传感器仅为微米尺寸，封装后的传感头在毫米量级，具有小型化的优点。
基本信息
专利标题 ：
利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020651005.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-26
授权号 ：
CN212514973U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
张登伟梁璀魏鹤鸣
申请人 ：
浙江大学;上海大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
郑海峰
优先权 ：
CN202020651005.1
主分类号 ：
G01R33/032
IPC分类号 ：
G01R33/032 G01D5/353 G01R33/00 B29C64/135 B33Y10/00 B33Y80/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/032
采用磁—光设备，例如法拉第的
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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