利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的高灵敏度磁场传感器
授权
摘要
本实用新型公开了一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的高灵敏度磁场传感器,包含入射单模光纤、双Y分支微结构和出射单模光纤;双Y分支微结构直接打印在入射单模光纤一端面和出射单模光纤一端面上,双Y分支微结构包括参考臂和测量臂,测量臂内包含有一段空心微腔体和微流通道用于填充磁流体材料。测量臂中导模的有效折射率与磁流体折射率密切相关,导致通过参考臂和测量臂上的传播光在公共端干涉后产生较大的相位差,干涉后的光谱由于参考臂和测量臂有效折射率不同而产生周期性的变化,当外界磁场变化时,干涉后光谱的谷产生漂移,通过测量该漂移可以实现对磁场的测量。该传感器具有体积小、灵敏度高、耐腐蚀等明显优势。
基本信息
专利标题 :
利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的高灵敏度磁场传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020651206.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-26
授权号 :
CN212514974U
授权日 :
2021-02-09
发明人 :
张登伟梁璀
申请人 :
浙江大学
申请人地址 :
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 :
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 :
郑海峰
优先权 :
CN202020651206.1
主分类号 :
G01R33/032
IPC分类号 :
G01R33/032 G01D5/353 G01R33/00 B29C64/135 B33Y10/00 B33Y80/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/032
采用磁—光设备,例如法拉第的
法律状态
2021-02-09 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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