氯硅烷高沸物催化裂解反应器和多晶硅装置
授权
摘要

本实用新型提供了一种氯硅烷高沸物催化裂解反应器和多晶硅装置,其中,氯硅烷高沸物催化裂解反应器,包括:反应器本体,反应器本体包括侧壁、顶壁和底壁,侧壁围设为筒状结构,顶壁封堵在筒状结构的上端,底壁封堵在筒状结构的下端;第一进料通道,第一进料通道设置在底壁上;第二进料通道,第二进料通道设置在筒状结构的上部;出料通道,出料通道设置在顶壁上。本实用新型的技术方案有效地解决了现有技术中的多晶硅在生产过程中造成的原料浪费和环境污染的问题。

基本信息
专利标题 :
氯硅烷高沸物催化裂解反应器和多晶硅装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020696575.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-29
授权号 :
CN212315553U
授权日 :
2021-01-08
发明人 :
万烨曾晓国严大洲张伟张晓伟付强耿乐康
申请人 :
中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区复兴路12号
代理机构 :
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
张亚辉
优先权 :
CN202020696575.2
主分类号 :
C01B33/03
IPC分类号 :
C01B33/03  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/03
使用卤化硅或卤化硅烷的分解,或其以氢作为惟一的还原剂的还原
法律状态
2021-01-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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