低副瓣天线
授权
摘要
本实用新型公开了一低副瓣天线，其中所述低副瓣天线包括一参考地和一辐射源，其中所述辐射源具有一馈电点，所述辐射源被间隔地保持于所述参考地的一侧，并在所述参考地和所述辐射源之间形成一辐射缝隙，所述辐射源具有两个相对的极化边和两个非极化边，其中两个所述非极化边位于两个所述极化边之间，两个所述非极化边朝向所述辐射源的物理中点内凹，所述低副瓣天线能够抑制一探测微波的一副瓣波束的产生，减小所述低副瓣天线的自激干扰，进而提高所述低副瓣天线在探测过程中的准确性和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
低副瓣天线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020718348.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-30
授权号 ：
CN211670322U
授权日 ：
2020-10-13
发明人 ：
邹高迪邹新
申请人 ：
深圳迈睿智能科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区燕罗街道罗田社区象山大道380号3栋2、3楼
代理机构 ：
宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李高峰
优先权 ：
CN202020718348.5
主分类号 ：
H01Q1/38
IPC分类号 ：
H01Q1/38 H01Q1/48 H01Q1/50 H01Q1/52 H01Q13/10 G01S7/36 G01S7/41 G01S13/88
法律状态
2020-10-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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