太赫兹可调磁光波长选择开关

授权

摘要

本实用新型提供了一种基于磁流体填充的、太赫兹可调磁光波长选择开关。器件基本结构由两根互相靠近、纤芯具有不同微结构的多孔光纤1和2组成。光纤1是基于等差分层微结构、多孔度15.93％的高双折射多孔光纤，纤芯微结构基本单元为椭圆，椭圆尺寸从内层到外层逐渐增大；光纤2是多孔度44.81％的多孔光纤，纤芯微结构由三角晶格排列、大小一致的圆形空气孔组成。在光纤2内层空气孔填充磁流体，通过调节外磁场来改变磁流体的折射率，从而改变两光纤的模式匹配点，实现下行波长的动态可调。在0.8THz‑1.2THz，本实用新型所述磁光波长选择开关，能够实现单波下行连续可调选择。耦合长度小于16cm，吸收损耗小于0.02dB。

基本信息

专利标题：

太赫兹可调磁光波长选择开关

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020792423.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-14

授权号：

CN213210536U

授权日：

2021-05-14

发明人：

李珊珊常胜江范飞白晋军

申请人：

南开大学

申请人地址：

天津市南开区卫津路94号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202020792423.2

主分类号：

G02B6/293

IPC分类号：

G02B6/293 G02B6/032