CMOS工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本发明提供了一种CMOS工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路,电路通过N沟道耗尽型MOS管的阈值电压具有正温度系数和N沟道增强型MOS管的阈值具有负温度系数在电路中相互抵消,达到具有很低的温度系数电压电流参考源产生电路。本发明整体电路设计简单,输出稳定的电压电流参考源,具有很低的温度系数,可根据实际需求进行调节可修调的熔丝的通断,从而得到不同的电压与电流参考源。

基本信息
专利标题 :
CMOS工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020824243.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-18
授权号 :
CN212379778U
授权日 :
2021-01-19
发明人 :
方建平边疆张适
申请人 :
西安拓尔微电子有限责任公司
申请人地址 :
陕西省西安市高新区科技二路72号西安软件园零壹广场B201
代理机构 :
西北工业大学专利中心
代理人 :
金凤
优先权 :
CN202020824243.8
主分类号 :
G05F1/567
IPC分类号 :
G05F1/567  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制;调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统,即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
G05F1/565
除对系统输出偏差敏感的装置外,还检测系统一个工况或它的负载的,例如还检测电流、电压、功率因数
G05F1/567
用于温度补偿的
法律状态
2022-04-12 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : G05F 1/567
变更事项 : 专利权人
变更前 : 西安拓尔微电子有限责任公司
变更后 : 西安拓尔微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 陕西省西安市高新区科技二路72号西安软件园零壹广场B201
变更后 : 陕西省西安市高新区科技二路72号西安软件园零壹广场B201
2022-04-12 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : G05F 1/567
变更事项 : 专利权人
变更前 : 西安拓尔微电子股份有限公司
变更后 : 拓尔微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 陕西省西安市高新区科技二路72号西安软件园零壹广场B201
变更后 : 陕西省西安市高新区科技二路72号西安软件园零壹广场B201
2021-01-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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