一种多维矢量场磁体结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种多维矢量场磁体结构，该结构包括第一线圈、第二线圈和/或第三线圈；第一线圈采用一层或多层CCT二极线圈，单层CCT线圈在磁体孔径区域产生一个同时具有X方向和Z方向分量的矢量磁场；第二线圈采用一层或多层CCT二极线圈，单层CCT线圈在磁体孔径区域产生一个同时具有Y方向和Z方向分量的矢量磁场；第三线圈采用一个或多个常规线圈，单个常规线圈在磁体孔径区域产生一个沿Z轴分布的矢量磁场；其中，Z轴假定为CCT二极线圈的中心轴方向，X轴和Y轴分别为第一线圈、第二线圈CCT对应的极头方向。
基本信息
专利标题 ：
一种多维矢量场磁体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020825250.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-18
授权号 ：
CN212365635U
授权日 ：
2021-01-15
发明人 ：
杜卓越梁羽吴巍梅恩铭陈玉泉杨通军
申请人 ：
中国科学院近代物理研究所
申请人地址 ：
甘肃省兰州市城关区南昌路509号
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘美丽
优先权 ：
CN202020825250.X
主分类号 ：
H01F6/06
IPC分类号 ：
H01F6/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F6/00
超导磁体；超导线圈
H01F6/06
线圈，如绕组、绝缘、接线柱或外壳
法律状态
2021-01-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
