一种电源管理芯片的使能电路
授权
摘要
一种电源管理芯片的使能电路包括N型场效应管MN0、MN1、MN2、MN3、MN4、MN5，二极管D1、D2、电阻R1、R2、R3，N型场效应管MNE1……MNEn‑1，MNEn和电源芯片功能电路；所述N型场效应管MNE1……MNEn‑1，MNEn的源极接地，漏极连接电源芯片功能电路后接电源，栅极相连后接于N型场效应管MN0的栅极。本实用新型采用常规的CMOS工艺设计，使能电路直接从芯片电源取电，快速决定电源芯片功能电路是否需正常工作；使能控制管可采用低压架构的场效应管，栅极电容较小，可以快速响应芯片的输入控制状态，并且在生产时可减少掩模成本和节省芯片面积。
基本信息
专利标题 ：
一种电源管理芯片的使能电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020836863.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-19
授权号 ：
CN211830562U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
刘玉山刘玉龙张梁堂
申请人 ：
厦门易创芯诚微电子有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市湖里区港中路1734号306单元
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020836863.3
主分类号 ：
H02M1/00
IPC分类号 ：
H02M1/00 H02H7/12
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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