一种具有双层绝缘层的面板结构
授权
摘要
本实用新型公布一种具有双层绝缘层的面板结构法，包括：基板上的一侧设置有栅极；在栅极上设置有第一绝缘层，位于栅极区域的第一绝缘层上设置有孔，孔的底部为栅极；在第一绝缘层上设置有第二绝缘层；在第二绝缘层上设置有半导体层，半导体层位于第二绝缘层在第一绝缘层上的孔处；在半导体层上设置有源极和漏极。上述技术方案通过减薄栅极区域的第一绝缘层的膜厚度，减薄后让第二绝缘层覆盖在栅极上，从而缩减栅极与源漏极之间的间距。缩减栅极与源漏极之间的间距后，可以提高开启电流Ion，从而达到减小面板功耗的目的，对面板的续航能力有一个较好的提升。
基本信息
专利标题 ：
一种具有双层绝缘层的面板结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020949178.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-29
授权号 ：
CN212084945U
授权日 ：
2020-12-04
发明人 ：
宋爽
申请人 ：
福建华佳彩有限公司
申请人地址 ：
福建省莆田市涵江区涵中西路1号
代理机构 ：
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
林祥翔
优先权 ：
CN202020949178.1
主分类号 ：
H01L21/34
IPC分类号 ：
H01L21/34 H01L21/77 H01L29/423 H01L27/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
法律状态
2020-12-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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