一种钼承烧钵
授权
摘要
本实用新型提供了一种钼承烧钵。钼承烧钵为长方体结构，长度方向的两侧面均匀开设有三排透气孔。该半导体陶瓷半导化工艺包括以下步骤：在密闭炉体中充满75％H2+25％N2的还原气体，给加热钼丝通电使其加热到1000‑1100℃；在钼承烧钵中装满待还原产品，在保证安全的前提下打开密闭炉体的一侧炉门，通过推送机构将承烧钵送进密闭炉体内的耐高温炉管中进行半导化。钼具有在高温还原气氛下不变形、耐高温、耐还原气氛不变色、不起皮，强度高的特点，使得半导体陶瓷半导化工艺中采用钼承烧钵替代Al2O3和不锈钢承烧钵，具有明显的改善工艺适应性的特点，长期来看钼承烧钵经济性更高。
基本信息
专利标题 ：
一种钼承烧钵
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021000556.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-03
授权号 ：
CN212457940U
授权日 ：
2021-02-02
发明人 ：
蒋小明
申请人 ：
陕西华星电子开发有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市西咸新区秦汉新城周陵新兴产业园区天工一路东段10号-3
代理机构 ：
西安泛想力专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
石琳丹
优先权 ：
CN202021000556.8
主分类号 ：
F27D5/00
IPC分类号 ：
F27D5/00
IPC结构图谱
F
F部——机械工程；照明；加热；武器；爆破
F27
炉；窑；烘烤炉；蒸馏炉
F27D
一种以上的炉通用的炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉的零部件或附件
F27D
一种以上的炉通用的炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉的零部件或附件
F27D5/00
炉内装料的支架、屏板或类似装置
法律状态
2021-02-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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