一种多层复合式纳米多孔蒸发器
授权
摘要
一种多层复合式纳米多孔蒸发器，属于微电子器件冷却技术领域。总体上由上层硅结构、中层纳米多孔结构和下层硅结构组成。上层硅结构包括七条歧管通道、入口储液池、出口储液池、以及多个蒸汽通道。中层纳米多孔结构在上层硅表面通过刻蚀加工得到，纳米孔阵列在膜上均匀排布。下层硅结构包括液体入口、液体出口、平行排列的肋和肋间的微通道，通过键合技术使其与上层相接。本装置利用纳米孔内液体的薄膜蒸发散热，具有运行稳定，温度分布均匀、纳米膜强度高、所需工质少、低泵功消耗等的特点，解决了微电子器件的高热流密度和多热区分布存在的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种多层复合式纳米多孔蒸发器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021002684.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-04
授权号 ：
CN213304108U
授权日 ：
2021-05-28
发明人 ：
夏国栋樊润东王佳豪马丹丹
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
张立改
优先权 ：
CN202021002684.6
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373 H01L23/467 H01L23/473
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2021-05-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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