一种微通道-纳米多孔复合结构蒸发器
授权
摘要
一种微通道‑纳米多孔复合结构蒸发器，属于微电子器件冷却技术领域。在GaN HEMT器件的基板级进行冷却，减少了界面结合材料的使用，大大降低了结温，延长了GaN HEMT器件的使用寿命。本申请由上基板(6)和下基板(5)构成，其中上基板包括纳米多孔区域(2)、流体入口(1)和流体出口(8)，下基板的正面刻饰有微通道区域(4)、进口蓄液槽(3)和出口蓄液槽(9)。上基板(6)和下基板(5)采用键合技术进行封装处理，保证纳米多孔结构区域(2)和微通道区域(4)较好的接触性。本装置利用纳米孔内液体的相变蒸发散热，具有运行稳定，温度分布均匀、所需工质少、运行压力低等的特点。
基本信息
专利标题 ：
一种微通道-纳米多孔复合结构蒸发器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920506180.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-15
授权号 ：
CN209822624U
授权日 ：
2019-12-20
发明人 ：
夏国栋王佳豪马丹丹贺鑫
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
张立改
优先权 ：
CN201920506180.9
主分类号 ：
H01L23/427
IPC分类号 ：
H01L23/427
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/42
为便于加热或冷却在容器里选择或配置的填料或辅助构件
H01L23/427
通过物态改变而冷却的，例如使用热管
法律状态
2019-12-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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