一种IPD高阻带抑制的低通滤波器
授权
摘要
本实用新型涉及一种IPD高阻带抑制的低通滤波器，属于滤波器技术领域。本实用新型包括从上至下依次的电极端口单元、电路结构单元、砷化镓基体层和背金大地面，所述电路结构单元上形成有滤波器电路结构，所述电极端口单元上形成有输入端口、输出端口、接地端口和连接通孔，本实用新型采用GSG端口，便于与其他微波组件集成，通过串联电感与并联电容的耦合，而达到小尺寸、高阻带抑制的效果，该实用新型低通滤波器设计适用于4GHz至20GHz频段，本实用新型基于IPD‑GaAs工艺设计，适合大批量生产。
基本信息
专利标题 ：
一种IPD高阻带抑制的低通滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021039526.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-09
授权号 ：
CN212137622U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
代传相李小珍刘永红邢孟江
申请人 ：
云南雷迅科技有限公司
申请人地址 ：
云南省昆明市高新区商院路百大国际派1栋23层3号
代理机构 ：
北京市盈科律师事务所
代理人 ：
罗东
优先权 ：
CN202021039526.8
主分类号 ：
H03H5/12
IPC分类号 ：
H03H5/12
法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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