面向5G通信的高阻带抑制低通滤波器的制备封装工艺
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摘要
本发明公开了面向5G通信的高阻带抑制低通滤波器的制备封装工艺,包括:介质基板层,包括由下至上设有的砷化镓基板层和SiNx基板层,其中所述砷化镓基板层是衬底;金属导体层,包括设在所述砷化镓基板层的下表面上的金属地面层;滤波结构层,用于实现滤波功能,包括通过光刻、金属沉积、干法刻蚀、高温氧化刻蚀在所述砷化镓基板层上并且分别位于所述SiNx基板层的上下两面,钝化层,用于覆盖在所述滤波结构层之上。本发明使用光刻胶作为最终形成钝化层的材料,这样可以降低成本并且提高成品率;在制作金属导体层时,采用电子束蒸发技术,其可以很好的解决电镀带来的问题,且带内差损小,带外有三个传输零点,高频抑制好。
基本信息
专利标题 :
面向5G通信的高阻带抑制低通滤波器的制备封装工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113315487A
申请号 :
CN202110532896.8
公开(公告)日 :
2021-08-27
申请日 :
2021-05-17
授权号 :
CN113315487B
授权日 :
2022-04-19
发明人 :
袁野张国珠张巧杏
申请人 :
无锡豪帮高科股份有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市胡埭镇胡阳路1号
代理机构 :
江阴市轻舟专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
曹键
优先权 :
CN202110532896.8
主分类号 :
H03H7/52
IPC分类号 :
H03H7/52
法律状态
2022-04-19 :
授权
2021-09-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 7/52
申请日 : 20210517
申请日 : 20210517
2021-08-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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