本发明公开了面向5G通信的高阻带抑制低通滤波器的制备封装工艺，包括：介质基板层，包括由下至上设有的砷化镓基板层和SiNx基板层，其中所述砷化镓基板层是衬底；金属导体层，包括设在所述砷化镓基板层的下表面上的金属地面层；滤波结构层，用于实现滤波功能，包括通过光刻、金属沉积、干法刻蚀、高温氧化刻蚀在所述砷化镓基板层上并且分别位于所述SiNx基板层的上下两面，钝化层，用于覆盖在所述滤波结构层之上。本发明使用光刻胶作为最终形成钝化层的材料，这样可以降低成本并且提高成品率；在制作金属导体层时，采用电子束蒸发技术，其可以很好的解决电镀带来的问题，且带内差损小，带外有三个传输零点，高频抑制好。