喷淋式进气CVD动态混气装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种喷淋式进气CVD动态混气装置，在法兰的右侧壁上呈密封固定有混合罐，在法兰的左侧壁上呈密封固定有定子，在法兰上或者混合罐上固定有至少两个进气接头，在混合罐上固定有出气接头，在混合罐内转动安装有叶片轴，在叶片轴上固定有叶片；在定子内转动安装有主轴，主轴与叶片轴呈一体式同轴连接，在主轴内固定有强磁线圈，在主轴的外壁与定子的内壁之间设有密封用磁性粉末。本实用新型大大提高了二维材料生长用气体的混合效果，本实用新型还具有密封可靠、结构简单的优点。
基本信息
专利标题 ：
喷淋式进气CVD动态混气装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021104409.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-15
授权号 ：
CN212316241U
授权日 ：
2021-01-08
发明人 ：
于葛亮张锦刘伟铭康斯坦丁·诺沃舍洛夫孙正乾杨金东
申请人 ：
无锡盈芯半导体科技有限公司;北京大学
申请人地址 ：
江苏省无锡市惠山经济开发区堰新路311号1号楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202021104409.5
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-01-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
