一种红外接收芯片晶圆及其红外接收芯片
授权
摘要
本实用新型涉及光电探测技术领域，提供一种红外接收芯片晶圆及其红外接收芯片，该红外接收芯片晶圆包括：引线金属层、氧化隔离层、走线金属层、寄生电容、寄生二极管、P型衬底和N阱层；引线金属层、走线金属层分别设置于氧化隔离层的不同区域，N阱层设置于P型衬底的氧化隔离层与P型衬底的交界处；寄生电容位于氧化隔离层；引线金属层的引线端与外部的红外信号放大输入端连接，走线金属层的走线端与外部的红外信号放大输出端连接。通过本实用新型的实施，能够解决现有技术中的红外芯片衬底存在干扰程度高、红外光探测的灵敏度较低的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种红外接收芯片晶圆及其红外接收芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021162835.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-19
授权号 ：
CN212693071U
授权日 ：
2021-03-12
发明人 ：
田润波
申请人 ：
深圳市励致电子技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区沙头街道天安车公庙工业区天济大厦F4.87C739室
代理机构 ：
深圳众鼎汇成知识产权代理有限公司
代理人 ：
张宏杰
优先权 ：
CN202021162835.4
主分类号 ：
G01J1/44
IPC分类号 ：
G01J1/44 H01L31/103 H01L31/0224
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J1/00
光度测定法，例如照相的曝光表
G01J1/42
采用电辐射检测器
G01J1/44
电路
法律状态
2021-03-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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