基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统，包括MOS管，MOS管的漏极用于连接IGBT的栅极，MOS管的源极接地。所述系统还包括电压获取模块、电压参考模块及比较控制模块。电压获取模块用于根据IGBT短路时的栅极电压输出第一电压信号。电压参考模块用于产生具有理想下降波形的第二电压信号。比较控制模块用于将第一电压信号与第二电压信号进行比较，并根据比较结果输出控制信号至IGBT的栅极，以控制MOS管的导通或截止，使得IGBT的栅极电压对地放电而减小或保持不变。如此，可保证IGBT的栅极电压能以理想速率下降直至关断IGBT，实现可靠且高效的软关断目的。
基本信息
专利标题 ：
基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021171784.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-22
授权号 ：
CN212304730U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
王伟黄辉傅俊寅汪之涵
申请人 ：
深圳青铜剑技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坑梓街道秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021171784.1
主分类号 ：
H02H7/20
IPC分类号 ：
H02H7/20
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN212304730U.PDF
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