一种复合膜层台面保护结构
授权
摘要
本实用新型公开一种复合膜层台面保护结构，属于半导体器件技术领域，包括半导体器件台面，半导体器件台面上设有沟槽，沟槽的外部依次设有sipos层I、掺磷二氧化硅层、掺氯二氧化硅层和sipos层II，所述沟槽的下方设有PN结,能够实现可控硅PN结的保护。在中间沉积一层吸杂能力强的掺磷二氧化硅层和固定杂质能力强的掺氯二氧化硅，使得在其工作点附近掺磷二氧化硅层和掺氯二氧化硅起到有效降低漏电流的作用，既保证高耐压和高温度特性，又兼顾了漏电流问题。解决了现有技术中出现的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种复合膜层台面保护结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021178005.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-23
授权号 ：
CN212303642U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
耿开远
申请人 ：
济宁东方芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
山东省济宁市兖州区兖颜路路北天齐庙村村西
代理机构 ：
青岛发思特专利商标代理有限公司
代理人 ：
张贤
优先权 ：
CN202021178005.0
主分类号 ：
H01L23/29
IPC分类号 ：
H01L23/29 H01L23/31 H01L29/74
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/29
按材料特点进行区分的
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
