磁膜
授权
摘要
本发明题为“磁膜”。本发明公开了一种磁膜，所述磁膜包括一个或多个导磁层。每个导磁层开裂以形成限定多个导磁节段的多个第一贯穿裂纹。所述第一贯穿裂纹沿第一方向延伸并且以第一节距P1沿正交的第二方向形成第一规则图案，使得所述第一规则图案的傅里叶变换具有在对应于所述第一节距P1的第一空间频率下沿所述第二方向的第一峰。所述第一贯穿裂纹具有沿所述第一方向的平均长度L1。L1/P1大于或等于5。
基本信息
专利标题 ：
磁膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021258582.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-01
授权号 ：
CN213583308U
授权日 ：
2021-06-29
发明人 ：
金辰旭禹成宇徐政柱马修·R·C·阿特金森
申请人 ：
3M创新有限公司
申请人地址 ：
美国明尼苏达州
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周晨
优先权 ：
CN202021258582.0
主分类号 ：
H01F10/00
IPC分类号 ：
H01F10/00 H05K9/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F10/00
磁性薄膜，如单畴结构的
法律状态
2021-06-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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