一种适于器件化的磁性隧道结及其用途
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摘要
本发明涉及一种适于器件化的磁性隧道结，包括一衬底及其上的缓冲层，在所述的缓冲层上依次沉积的钉扎层、被钉扎软磁层、绝缘层、自由软磁层及覆盖层，其特征在于：所述的绝缘层为一复合膜层，其上下两层为0.2～2nm厚度的金属层或是绝缘体势垒层，中间层为0.5～5nm厚度的氧化铝膜层。该磁性隧道结能够广泛应用于以磁性隧道结为核心的各种器件。本发明提供的适于器件化的磁性隧道结，可以克服现有技术的缺陷，提高磁性隧道结的性能，使其在保持高的磁电阻比值和低的电阻与结面积的积矢的情况下，还具有重复性和稳定性好，信噪比高，寿命长等优点，能够满足大规模产品化的要求。
基本信息
专利标题 ：
一种适于器件化的磁性隧道结及其用途
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1988199A
申请号 ：
CN200510130665.5
公开（公告）日 ：
2007-06-27
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏红祥马明覃启航韩秀峰詹文山
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
100080北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 ：
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 ：
高存秀
优先权 ：
CN200510130665.5
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/10 H01F10/00 H01F10/32 G11C11/16 G11C11/15 G11B5/39 G01R33/09
法律状态
2009-06-10 ：
授权
2007-08-22 ：
实质审查的生效
2007-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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