一种基于短平面反射器实现减少后向辐射的薄层缝隙天线
授权
摘要

本实用新型公开了一种基于短平面反射器实现减少后向辐射的薄层缝隙天线,包括介质基板、缝隙天线、平面发射器和微带线,所述缝隙天线位于所述介质基板的一侧,所述平面发射器的数量为两个,所述微带线和两个所述平面发射器均位于所述介质基板远离所述缝隙天线的一侧,且均与所述缝隙天线垂直,两个所述平面发射器对称设置于所述微带线的两侧,且一端沿所述微带线方向平行延伸跨越所述缝隙天线。相对于现有技术,该天线在不额外增加缝隙天线尺寸的前提下,在介质厚度仅为0.015(自由空间波长)实现减少天线朝向馈电微带线端的辐射,提高了缝隙天线的增益。

基本信息
专利标题 :
一种基于短平面反射器实现减少后向辐射的薄层缝隙天线
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021284004.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-04
授权号 :
CN212303907U
授权日 :
2021-01-05
发明人 :
王宜颖徐远铮张胜妃于新华曹卫平莫锦军姜彦南伍铁生
申请人 :
桂林电子科技大学
申请人地址 :
广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
代理机构 :
桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
张学平
优先权 :
CN202021284004.4
主分类号 :
H01Q1/38
IPC分类号 :
H01Q1/38  H01Q19/10  H01Q1/50  
法律状态
2021-01-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332