碎片减少系统、辐射源和光刻设备
授权
摘要
一种在辐射源中使用的碎片减少系统。所述碎片减少系统包括污染物陷阱。所述污染物陷阱包括碎片接收表面，所述碎片接收表面被布置成接收从辐射源的等离子体形成区域发射的液态金属燃料碎片。所述碎片接收表面由下述材料构成：该材料与所述液态金属燃料碎片反应以在所述碎片接收表面上形成金属间化合层。
基本信息
专利标题 ：
碎片减少系统、辐射源和光刻设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109478026A
申请号 ：
CN201780045786.0
公开（公告）日 ：
2019-03-15
申请日 ：
2017-06-22
授权号 ：
CN109478026B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
M·瑞鹏P·P·A·A·布洛姆R·J·赫尔特门斯
申请人 ：
ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维德霍温
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王静
优先权 ：
CN201780045786.0
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H05G2/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2019-08-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20170622
申请日 : 20170622
2019-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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