辐射源设备和方法、光刻设备和检查设备
授权
摘要
EUV辐射源(42，300)被用于例如光刻设备或检查设备中。为了产生EUV辐射(302)，将位于第二波段的激光辐射(304)引导到液体锡燃料(69)的靶上，以使得产生等离子体。在传递所述激光辐射(304)之前或期间将光栅辐射(328)引导到所述靶上，以产生具有空间分布的电磁场，所述空间分布包括跨过靶(406)的多个峰和谷。这使得所述靶的性质，诸如折射率，产生对应的空间变化。如果能量足够高，则它可以使得光栅图案中发生烧蚀或形成等离子体。通过一个或更多个机制，诸如表面等离子体激元，靶的光学性质的这种周期性变化提高了激光能量的吸收，从而提高了辐射源设备的转换效率。
基本信息
专利标题 ：
辐射源设备和方法、光刻设备和检查设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110088682A
申请号 ：
CN201780077241.8
公开（公告）日 ：
2019-08-02
申请日 ：
2017-11-22
授权号 ：
CN110088682B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
N·斯伯克P·C·M·普兰肯
申请人 ：
阿姆斯特丹大学;阿姆斯特丹自由大学基金会;物资基础研究基金会;ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿姆斯特丹
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
胡良均
优先权 ：
CN201780077241.8
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H05G2/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-01-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20171122
申请日 : 20171122
2019-08-20 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : G03F 7/20
登记生效日 : 20190801
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 阿姆斯特丹大学
变更后权利人 : ASML荷兰有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰阿姆斯特丹
变更后权利人 : 荷兰维德霍温
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 阿姆斯特丹自由大学基金会 荷兰基金会科研院所 ASML荷兰有限公司
登记生效日 : 20190801
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 阿姆斯特丹大学
变更后权利人 : ASML荷兰有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰阿姆斯特丹
变更后权利人 : 荷兰维德霍温
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 阿姆斯特丹自由大学基金会 荷兰基金会科研院所 ASML荷兰有限公司
2019-08-20 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : G03F 7/20
变更事项 : 申请人
变更前 : 阿姆斯特丹大学
变更后 : 阿姆斯特丹大学
变更事项 : 地址
变更前 : 荷兰阿姆斯特丹
变更后 : 荷兰阿姆斯特丹
变更事项 : 申请人
变更前 : 阿姆斯特丹自由大学基金会 物资基础研究基金会 ASML荷兰有限公司
变更后 : 阿姆斯特丹自由大学基金会 荷兰基金会科研院所 ASML荷兰有限公司
变更事项 : 申请人
变更前 : 阿姆斯特丹大学
变更后 : 阿姆斯特丹大学
变更事项 : 地址
变更前 : 荷兰阿姆斯特丹
变更后 : 荷兰阿姆斯特丹
变更事项 : 申请人
变更前 : 阿姆斯特丹自由大学基金会 物资基础研究基金会 ASML荷兰有限公司
变更后 : 阿姆斯特丹自由大学基金会 荷兰基金会科研院所 ASML荷兰有限公司
2019-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN110088682A.PDF
PDF下载
