一种高带宽和低反射的同轴光发射器件
授权
摘要
本实用新型涉及光通信领域，具体涉及一种高带宽和低反射的同轴光发射器件。一种高带宽和低反射的同轴光发射器件，包括同轴线型阻抗控制构造、共面波导微带线型阻抗控制构造以及二者之间的连接部分构造，所述连接部分构造包括金线键合信号路径和金线键合接地回路，金线键合信号路径位于金线键合接地回路内，金线键合接地回路将金线键合信号路径上高速信号所产生的电磁场束缚在起内部。本实用新型的连接部分构造可将在金线键合信号路径上传递的高速信号所产生的电磁场束缚在接地回路内，可以减少电磁场能量的外泄，并且能够在不增加零件的情况下，提高带宽和降低反射，使其在高速信号中满足带宽和反射的性能要求，实现同轴光器件内部的低反射连接。
基本信息
专利标题 ：
一种高带宽和低反射的同轴光发射器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021292540.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-06
授权号 ：
CN212781373U
授权日 ：
2021-03-23
发明人 ：
王昊王昌日张舜袁茹月
申请人 ：
大连藏龙光电子科技有限公司
申请人地址 ：
辽宁省大连市开发区双D港数字3路17号
代理机构 ：
大连瑞博晟知识产权代理有限公司
代理人 ：
佟昆
优先权 ：
CN202021292540.9
主分类号 ：
G02B6/42
IPC分类号 ：
G02B6/42
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/24
光波导的耦合
G02B6/42
光波导与光电元件的耦合
法律状态
2021-03-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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