高带宽模拟光电探测器
授权
摘要

本实用新型提供一种高带宽模拟光电探测器,其中的芯片固定座中部固定有芯片,芯片的探测面的直径为0.4±0.01mm,芯片的探测面接受经透镜汇聚后的光信号,芯片将光信号转换为电信号,芯片的第一输出面设置有电极,电极的直径为0.05±0.01mm,管座上设置有第一管脚和第二管脚,第一管脚的第一端通过金属丝与电极电连接,第二管脚的第一端与芯片的第二输出面电连接;第一管脚的第二端和第二管脚的第二端作为电信号的输出端位于封装壳体的外部;其中,高带宽模拟光电探测器整体阻值为50±2Ω。以上方案,通过对芯片探测面的尺寸和芯片与管脚之间的金属丝的电阻进行设计,能够同时满足高响应带宽与耦合效率的需求。

基本信息
专利标题 :
高带宽模拟光电探测器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921224666.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-31
授权号 :
CN210572884U
授权日 :
2020-05-19
发明人 :
乔洁
申请人 :
世维通河北科技有限公司
申请人地址 :
河北省廊坊市三河市燕郊开发区亿丰大街85号
代理机构 :
北京信诺创成知识产权代理有限公司
代理人 :
任万玲
优先权 :
CN201921224666.X
主分类号 :
G02B6/42
IPC分类号 :
G02B6/42  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导;包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/24
光波导的耦合
G02B6/42
光波导与光电元件的耦合
法律状态
2020-05-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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