一种高带宽高响应度的光电探测器
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摘要
本发明涉及一种高带宽高响应度的光电探测器，属半导体器件领域，其包括InP衬底，在InP衬底上依次生长有InP隔离台、N型接触层、N型InP层、InGaAs光吸收层、P型InP层以及P型接触层，其特征在于：在P型接触层上设有用于将P型接触层射出的光线反射至InGaAs光吸收层的第一光栅层，在InP衬底背对InP隔离台的一侧设有用于汇聚、透射和自动耦合光束的第二光栅层，第二光栅层包括多个同心设置的环形光栅条，InGaAs光吸收层的直径为5‑10µm，厚度为500‑3000nm。本发明能够提高PD带宽的同时，可以兼顾提升PD响应度和降低PD耦光难度。
基本信息
专利标题 ：
一种高带宽高响应度的光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114188426A
申请号 ：
CN202210148257.6
公开（公告）日 ：
2022-03-15
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
CN114188426B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
鄢静舟王坤薛婷杨奕
申请人 ：
福建慧芯激光科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市惠安县螺阳镇城南工业区站前路19号
代理机构 ：
泉州市文华专利代理有限公司
代理人 ：
陈云川
优先权 ：
CN202210148257.6
主分类号 ：
H01L31/0232
IPC分类号 ：
H01L31/0232 H01L31/10 H01L31/105
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法律状态
2022-06-14 ：
授权
2022-04-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0232
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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