基于MOSFET的换能拓扑结构
授权
摘要
本实用新型提供一种基于MOSFET的换能拓扑结构，包括至少四个换向模块，分别连接在交流电源X相和Y相的正极和负极，所述换向模块包括至少两个MOSFET，一个MOSFET一端接交流电源，另一端接另一个MOSFET的一端，另一个MOSFET的另一端为输出，两个MOSFET同时导通和关断。上述换能拓扑结构使用MOSFET器件，进行中高频电压信号的控制，可实现多路之间电压信号的切换，且电路所需半导体器件封装小、成本低、可选择范围广。
基本信息
专利标题 ：
基于MOSFET的换能拓扑结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021372869.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-14
授权号 ：
CN212278113U
授权日 ：
2021-01-01
发明人 ：
陈亮沈琪超陈晟黄勇
申请人 ：
江苏海莱新创医疗科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市无锡惠山经济开发区惠山大道1699号七号楼七层A区、B区
代理机构 ：
北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
肖淑芳
优先权 ：
CN202021372869.6
主分类号 ：
H02M1/088
IPC分类号 ：
H02M1/088 H02M5/293
法律状态
2021-01-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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