一种场效应管抗单脉冲雪崩能量测试电路
授权
摘要

本实用新型提供了一种场效应管抗单脉冲雪崩能量测试电路,直流电源、稳压电路、电路切换开关、可变电容阵列电路、场效应管电路和提示电路,直流电源通过第一开关和可变电容阵列电路相连接以给可变电容阵列电路充电,电路切换开关包括第一开关和第二开关,可变电容阵列电路与场效应管电路相连接以给场效应管电路提供雪崩能量,提示电路通过第一开关与可变电容阵列电路相连接以提示被测场效应管是否处于短路状态,本实用新型提供了一种场效应管抗单脉冲雪崩能量测试电路,该一种场效应管抗单脉冲雪崩能量测试电路可以通过简单的设备来获得场效应管的雪崩能量参数,降低验证成本。

基本信息
专利标题 :
一种场效应管抗单脉冲雪崩能量测试电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021394734.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-15
授权号 :
CN212965269U
授权日 :
2021-04-13
发明人 :
招铭斌林国荣谢小斌徐志坚
申请人 :
广东泰琪丰电子有限公司
申请人地址 :
广东省佛山市南海区狮山镇罗村佛罗路6号一之3号厂房
代理机构 :
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 :
左恒峰
优先权 :
CN202021394734.X
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  G01R31/52  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2021-04-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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