一种IGBT芯片的真空烧结装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种IGBT芯片的真空烧结装置，包括脱模装置、烧结板、烧结炉和底板，所述底板顶部的一端固定有底座，且底座的顶端固定有烧结炉，所述烧结炉的内部设置有烧结腔，所述烧结腔内部的顶端固定有温度传感器，且烧结腔内部的中央位置处设置有烧结板，所述烧结板下方的烧结腔内固定有脱模装置，且脱模装置内部的底端固定有电机，所述处理箱的顶端固定有真空泵，且真空泵的顶端通过第一导气管与烧结腔相连通。本实用新型通过安装有烧结炉、烧结腔、第一导气管、第二导气管、真空泵、处理箱、冷凝室、冷凝管以及水箱，通过进水口通入冷水，与冷凝管中的热气进行热交换，使其冷凝成水滴落入到水箱中，避免直接排放到空气中造成热污染。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT芯片的真空烧结装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021421953.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-17
授权号 ：
CN212648189U
授权日 ：
2021-03-02
发明人 ：
杨种南
申请人 ：
传承电子科技（江苏）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山开发区朝阳东路99号2号房4楼
代理机构 ：
苏州言思嘉信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
叶晓龙
优先权 ：
CN202021421953.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-03-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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