单晶炉用水冷环及单晶炉上部导热系统
授权
摘要
本实用新型公开了单晶炉用水冷环及单晶炉上部导热系统。单晶炉用水冷环，包括进水管、出水管以及环状体；进水管以及出水管左右相对设置在环状体的上方；环状体内设有用于冷却水途径的导流通道，导流通道的一端与进水管对接导通，导流通道的另一端与出水管对接导通；环状体的底部设有用于安装热屏的安装件。本专利相较现有的双层水冷轴的结构，增加了水冷覆盖范围，更有益于对单晶炉内腔的冷却效果的保证。通过安装件便于实现与热屏之间的相对固定。
基本信息
专利标题 ：
单晶炉用水冷环及单晶炉上部导热系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021470307.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-23
授权号 ：
CN212925225U
授权日 ：
2021-04-09
发明人 ：
赖章田贺贤汉夏孝平刘海徐淑文曹豪杰
申请人 ：
上海汉虹精密机械有限公司
申请人地址 ：
上海市宝山区宝山城市工业园区山连路188号
代理机构 ：
上海申浩律师事务所
代理人 ：
陆叶
优先权 ：
CN202021470307.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-04-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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