一种高压高边栅极驱动器
授权
摘要
本实用新型公开了一种高压高边栅极驱动器，属于高压电源管理单元领域。本实用新型包括由MN2、MN3、MN4，MNL2、MNL3、MNL4，MP2、MP3、MP4和MPL2、MPL3、MPL4形成的电平转换模块；上拉晶体管MP1；下拉晶体管MN1，MNL1和MNL0；由D0和C1组成的浮动电源发生器；比较器形成的门监控电路以及控制逻辑单元。本实用新型应用于片上全集成功率转换器中的高压高边栅极驱动器模块，其用途是驱动高边功率MOSFET，相对于现有技术，不需要大容量的片外电容器，最小化缩减芯片面积，减少成本。
基本信息
专利标题 ：
一种高压高边栅极驱动器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021483056.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-24
授权号 ：
CN212969431U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
吴天钱海涛
申请人 ：
宜矽源半导体南京有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市雨花台区证大喜马拉雅G座809
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021483056.4
主分类号 ：
H02M1/08
IPC分类号 ：
H02M1/08
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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