一种控制超级结MOSFET开关速度的电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种控制超级结MOSFET开关速度的电路，由PWM信号、电阻一、二极管、电容一、超级结MOSFET、电容二共同组成开通回路，电阻一连接PWM信号和二极管阳极；二极管阴极与超级结MOSFET的栅极连接，电容一的一端与超级结MOSFET的栅极连接，另一端与超级结MOSFET的漏极连接；电容二一端与超级结MOSFET的栅极连接，另一端与超级结MOSFET的源极连接；电容三和电阻四串联后并联在超级结MOSFET的漏极和源极之间。本实用新型具有结构简单、方便实现等好处。避免了使用超级结MOSFET时开关速度过快而带来的震荡、干扰、电压尖峰过高、系统EMI特性差等负面影响。
基本信息
专利标题 ：
一种控制超级结MOSFET开关速度的电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021505383.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-27
授权号 ：
CN212543643U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
彭国建郭建军马治军单宛君任杰
申请人 ：
上海维安半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区施湾七路1001号
代理机构 ：
上海东亚专利商标代理有限公司
代理人 ：
董梅
优先权 ：
CN202021505383.5
主分类号 ：
H02M1/08
IPC分类号 ：
H02M1/08 H03K17/26
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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