利用MOS内阻采集电流的检测电路

授权

摘要

本实用新型涉及新能源锂电池保护技术领域，尤其是利用MOS内阻采集电流的检测电路，包括检测电路以及连接在检测电路上的单片机和负载仪，所述的检测电路具有MOS管、电阻R4、电阻R3、电阻R5、电容C4,所述MOS管的栅极端与电阻R4一端连接，所述MOS管的源极端与电阻R4另一端连接并共同接地，所述的负载仪一端连接MOS管漏极端，所述的负载仪另一端连接电源P+端。本实用新型利用MOS导通时的内阻进行电流采样，大大降低了材料成本；显著提高了输出效率；有效的提高了电流检测精度。

基本信息

专利标题：

利用MOS内阻采集电流的检测电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021520224.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-28

授权号：

CN213544669U

授权日：

2021-06-25

发明人：

张新才

申请人：

深圳天邦达科技有限公司

申请人地址：

广东省深圳市光明新区公明办事处玉律社区第六工业区第26栋、第七工业区第2栋4楼B区

代理机构：

佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

陈志超

优先权：

CN202021520224.2

主分类号：

G01R19/25

IPC分类号：

G01R19/25