用于负极的复合硅颗粒
授权
摘要
本实用新型涉及电池技术领域并且提供了用于负极的复合硅颗粒。该复合硅颗粒为纳米硅芯颗粒/层A/层B/层C的多层结构形式，其中：层A直接包覆在纳米硅芯颗粒的至少部分表面上，并且包含第一Cu子层、第二Li2SiO3子层和第三Sn子层；层B至少部分直接包覆在纳米硅芯颗粒的表面上，并且包含第一TiO2子层和第二LiAlO2子层；和层C至少部分直接包覆在纳米硅芯颗粒的表面上，并且层C为碳层。由该复合硅颗粒制备的硅基负极的循环性能与石墨类负极相当，其首次放电效率为89％以上且放电克容量>3000mAh/g。
基本信息
专利标题 ：
用于负极的复合硅颗粒
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021530213.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-29
授权号 ：
CN213425020U
授权日 ：
2021-06-11
发明人 ：
喻维杰李福生张锡强赵常代学志詹勇军杜玮
申请人 ：
拓米（成都）应用技术研究院有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市郫都区德源镇（菁蓉镇）郫温路266号创客公园二期7栋3楼
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
谭冀
优先权 ：
CN202021530213.2
主分类号 ：
H01M4/38
IPC分类号 ：
H01M4/38 H01M4/62 C01B33/02 B82Y30/00 B82Y40/00
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法律状态
2021-06-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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