一种高场非对称波形离子迁移谱仪
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摘要

一种高场非对称波形离子迁移谱仪,该离子迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测区;其中迁移区内包括由两个上下电极构成的电极对,其中一个电极为栅型平板电极,另一个为金属平板电极。在此电极对上施加非对称波形电压,会在迁移区内产生空间不均匀分布的非对称波形电场。在这种电场下,特定离子在迁移区内产生向迁移区中心面的运动趋势,即产生迁移区内的离子聚焦。迁移区内的离子聚焦使得离子在迁移区内的扩散损失降低,从而提高了离子在迁移区内的通过效率。这种离子迁移谱仪能提高仪器的灵敏度,在相同的条件下,本实用新型的离子迁移谱仪测得的信号强度与现有平板型非对称波形离子迁移谱仪的信号强度相比有显著提高。

基本信息
专利标题 :
一种高场非对称波形离子迁移谱仪
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021553116.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-30
授权号 :
CN212934550U
授权日 :
2021-04-09
发明人 :
唐飞曾悦王晓浩
申请人 :
清华大学
申请人地址 :
北京市海淀区清华园
代理机构 :
北京鸿元知识产权代理有限公司
代理人 :
邸更岩
优先权 :
CN202021553116.5
主分类号 :
H01J49/06
IPC分类号 :
H01J49/06  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J49/00
粒子分光仪或粒子分离管
H01J49/02
零部件
H01J49/06
电子光学或离子光学装置
法律状态
2021-04-09 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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