一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构及带有该附加屏蔽结构的...
授权
摘要
本实用新型公开了一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构，属于电子元器件抗辐射加固技术领域，包括上下对称的上屏蔽筒体和下屏蔽筒体，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的底部相同位置均设置有底部通孔，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体相接的侧壁设置有侧壁槽口，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的侧壁还设置有侧壁通孔；本实用新型还公开了带有有该附加屏蔽结构的滤波器；本实用新型提供了一种YIG滤波器抗辐射的附加屏蔽结构，有益于增强YIG滤波器抗空间辐射能力，使YIG滤波器能经受更严酷的空间辐射而保持稳定的工作性能，延长其在空间辐射环境下的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构及带有该附加屏蔽结构的滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021598508.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-04
授权号 ：
CN212306031U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
张卫王津丰荣建海王源尹春燕
申请人 ：
中国电子科技集团公司第九研究所
申请人地址 ：
四川省绵阳市滨河北路西段268号
代理机构 ：
绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黎仲
优先权 ：
CN202021598508.3
主分类号 ：
H05K9/00
IPC分类号 ：
H05K9/00
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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