一种SiC MOSFET驱动器的短路保护电路
授权
摘要
本实用新型提供了一种SiC MOSFET驱动器的短路保护电路，包括温度检测电路和控制电路；温度检测电路与控制电路连接，且两者分别与SiC MOSFET连接，本实用新型能够对SiC MOSFET进行精准保护，不易误动作，保护能力强，避免SiC MOSFET由于结温过高而失效，延长了SiC MOSFET的使用寿命；大大提高了驱动器的可靠性，使驱动器能够可靠驱动SiC MOSFET动作。
基本信息
专利标题 ：
一种SiC MOSFET驱动器的短路保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021637404.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-07
授权号 ：
CN213547099U
授权日 ：
2021-06-25
发明人 ：
孙宝奎张良赵彩萍朱宁辉王蓓蓓古哲韬
申请人 ：
中电普瑞科技有限公司;中电普瑞电力工程有限公司;南瑞集团有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区南邵镇南中路16号
代理机构 ：
北京安博达知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐国文
优先权 ：
CN202021637404.9
主分类号 ：
H02H7/20
IPC分类号 ：
H02H7/20 H02H3/08 H02M1/08 H03K17/082 H03K17/687
法律状态
2021-06-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
