一种真空腔进样系统
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摘要
本实用新型提供了一种真空腔进样系统，用于解决现有技术中真空腔进样系统容易破坏其他腔室的真空环境、无法实现大气进样的技术问题；包括：中转腔和真空存样腔；所述真空存样腔包括第一法兰、样品固持装置和第一传样装置；所述第一法兰设置第一阀门；所述中转腔包括第二法兰、第三法兰、真空泵、传样台和第二传样装置；实施本实用新型的技术方案，中转腔连接真空腔体，设置真空存样腔，并通过闸阀隔离中转腔、真空存样腔和外部腔体，可在不破坏外部腔体真空环境的前提下完成进样；设置常压进样门，可实现常压进样；真空存样腔通过CF法兰连接中转腔，可拆卸，并设置手提支架，可实现样品的转移和快速切换。
基本信息
专利标题 ：
一种真空腔进样系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021644793.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-10
授权号 ：
CN212375375U
授权日 ：
2021-01-19
发明人 ：
杨宏褚赛赛李小芳龚旗煌池彬赵嘉峰
申请人 ：
北京大学;费勉仪器科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 ：
上海精晟知识产权代理有限公司
代理人 ：
姜杉
优先权 ：
CN202021644793.8
主分类号 ：
C23C14/56
IPC分类号 ：
C23C14/56
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/56
连续镀覆的专用设备；维持真空的装置，例如真空锁定器
法律状态
2021-01-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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