高压大驱动高电源抑制比LDO
授权
摘要
一种高压大驱动高电源抑制比LDO，属于LDO技术领域。本实用新型针对现有技术中为提高电源抑制比对带片外电容LDO电路进行的改造，存在噪声大及电路稳定性差的问题。包括共源共栅阻性源退化电路和动态补偿电路，所述共源共栅阻性源退化电路采用NMOS差分对管输入，获得低压差固定一级输出电压；动态补偿电路对所述一级输出电压采用动态零点补偿以及动态偏置的方式，获得最终输出电压。本实用新型可使输出电压噪声大幅度降低，并保证工作点稳定。
基本信息
专利标题 ：
高压大驱动高电源抑制比LDO
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021662092.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-11
授权号 ：
CN212569574U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
胡锦通
申请人 ：
英彼森半导体（珠海）有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市横琴新区环岛东路1889号创意谷18栋316室
代理机构 ：
哈尔滨市松花江专利商标事务所
代理人 ：
张利明
优先权 ：
CN202021662092.7
主分类号 ：
G05F1/56
IPC分类号 ：
G05F1/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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