一种低插损的非可逆电路元件
授权
摘要
本实用新型公开了属于电路元件技术领域的一种低插损的非可逆电路元件，包括壳体，壳体的上方连接有非可逆电路元件本体，非可逆电路元件本体的上方设有上旋磁片，上旋磁片的上方连接有磁铁，磁铁的上方连接有温补片；本实用新型在非可逆电路元件本体4的上方设置了上旋磁片，通过上旋磁片的设置可以降低0.2dB的插损，从而使本结构的插损值更小，从而提高了本结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种低插损的非可逆电路元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021665997.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
CN213126723U
授权日 ：
2021-05-04
发明人 ：
张娟娟孙晓丹
申请人 ：
浙江省东阳市东磁诚基电子有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市东阳市横店工业区（大桥头）
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
张金刚
优先权 ：
CN202021665997.X
主分类号 ：
H05K5/02
IPC分类号 ：
H05K5/02 H05K1/18
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法律状态
2021-05-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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CN213126723U.PDF
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