基于AMC的低剖面圆极化交叉偶极子天线及通信设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于AMC的低剖面圆极化交叉偶极子天线及通信设备，包括上层介质基板、下层介质基板、主辐射单元、寄生单元、AMC超表面及反射地板；所述上层介质基板及下层介质基板间隔一定距离且平行设置，主辐射单元及寄生单元设置在上层介质基板，所述下层介质基板的上表面设置AMC超表面，其下表面设置反射地板；所述主辐射单元包括两对偶极子，两对偶极子呈十字形交叉结构，交叉点位于上层介质基板的中心点。本实用新型具有很好的圆极化辐射性能以及低剖面高增益的特性，可以覆盖部分卫星通信C频段。
基本信息
专利标题 ：
基于AMC的低剖面圆极化交叉偶极子天线及通信设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021697161.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-14
授权号 ：
CN212571343U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
刘雄英翟志远范艺
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
王东东
优先权 ：
CN202021697161.8
主分类号 ：
H01Q1/36
IPC分类号 ：
H01Q1/36 H01Q1/38 H01Q1/48 H01Q9/16
法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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