一种IGBT饱和导通电压测量电路
授权
摘要
本实用新型公开一种IGBT饱和导通电压测量电路，用于在IGBT饱和导通时测量饱和导通电压，所述电路包括二极管D1及相同型号的二极管D2，以分别用于与IGBT的集电极和发射极电连接，所述电路还包括电流源模块、电压转换模块及电压测量模块，所述电流源模块包括检流电阻，用于在IGBT饱和导通时产生第一电流，并在第一电流流经检流电阻后输出至二极管D1。所述电压转换模块用于获取检流电阻的压降，并对检流电阻的压降进行转换，以输出与第一电流大小相等的第二电流至二极管D2。所述电压测量模块用于根据二极管D1与二极管D2的阳极电压输出测量电压。如此，实现准确测量IGBT饱和电压的同时减小PCB板占用面积、降低设计成本。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT饱和导通电压测量电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021717984.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-18
授权号 ：
CN212514763U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
吴晓光黄辉傅俊寅汪之涵
申请人 ：
深圳青铜剑技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坑梓街道秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021717984.2
主分类号 ：
G01R19/00
IPC分类号 ：
G01R19/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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