硅碎片清洗装置

授权

摘要

本公开涉及一种硅碎片清洗装置，包括：主体，所述主体设有第一容腔，第一容腔中设有进液口以及出液口；硅碎片收集结构，所述硅碎片收集结构放置于第一容腔中；其中，第一容腔设有用于供硅碎片收集结构通过的第一开口；所述硅碎片收集结构的底部为网栅结构；所述主体设有框架，框架位于第一容腔中，且框架与第一容腔的底壁之间存在间隙；所述第一容腔中还设有溢流口；所述主体的内壁设有超声波振板；主体内设有一个或多个从上往下依次布置的加热器。

基本信息

专利标题：

硅碎片清洗装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021728212.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-18

授权号：

CN213728226U

授权日：

2021-07-20

发明人：

裴乐扬颜云峰张占勇

申请人：

晶澳太阳能有限公司;晶澳太阳能越南有限公司

申请人地址：

河北省邢台市宁晋县晶龙大街

代理机构：

北京市万慧达律师事务所

代理人：

盛安平

优先权：

CN202021728212.9

主分类号：

B08B3/12

IPC分类号：

B08B3/12 B08B3/10 B08B13/00 H01L21/67